Контактное лицо*
Тел/факс *
E-Mail *
Город*
Организация*
* - обязательно для заполнения
Сообщение*


> > 31.01.2018. Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике

31.01.2018. Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике


  Описание 31.01.2018. Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике  

 АНАЛИЗ ОТКАЗОВ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

Анализ отказа полупроводниковых устройств необходим для выяснения причины отказа и обеспечения на основе этой информации оперативной обратной связи с этапами производства и проектирования. В связи с рыночными требованиями более высокой надежности и разработкой устройств с более высокой степенью интеграции и большими размерами чипа для анализа отказов требуются самые новые технологии.

Чтобы гарантировать надежность, анализ должен быть "встроен" в устройство еще на стадиях проектирования и производства. Однако невозможно полностью избавиться от отказов во время производства и использования в полевых условиях. Поэтому для предотвращения повторного возникновения подобных сбоев, должен быть выполнен анализ отказа. Он необходим для выяснения причины отказа и обеспечения на основе этой информации оперативной обратной связи с этапами производства и проектирования.

Что такое анализ отказов?

Анализ отказа начинается, когда находящееся под наблюдением устройство утрачивает свои основные функции согласно критериям отказа. Отказы включают полную потерю функций и различные уровни деградации. По мере того как электронное оборудование становится все более сложным, отказы уже не ограничиваются отдельными компонентами, а превращаются в сложный отказ всей системы. Анализ отказа без учета этих факторов может привести к ошибочным корректирующим действиям.

Анализ отказа – это исследование характера и механизма отказа с использованием оптических, электрических, физических и химических методик анализа. Прежде чем начать анализ, необходимо собрать подробности об обстоятельствах и симптомах отказа. Сюда входит исследование изменений электрических характеристик и других предшествующих отказу данных, среды, условий нагрузки, монтажа и возможность человеческих ошибок. Анализ этих факторов позволит сделать предположение о потенциальном характере и механизме отказа. На основе этого предположения определяются наиболее подходящие методы и процедуры. Недостаточная информация относительно обстоятельств и симптомов отказа может привести к неподобающему выбору методики анализа, а, следовательно, к значительным затратам труда и времени. 

Градация отказов по размерности

Отказы могут быть вызваны дефектами на разном уровне, начиная с визуально различимых трещин, заканчивая нарушениями на атомарном уровне.

 

Методы локализации, применяемые для различных типов дефектов

Тип дефекта

Методы локализации

Загрязнение, Посторонние частицы

FIB/SEM, TEM/STEM, EDX, EELS

Резистивная перемычка, мостик

DLS – LADA, SDL, RIL

Разрыв

SLS - CV-OBIC, OBIRCH

Не корректная схема

DLS – LADA, SDL, RIL

Отклонение от геометрии

FIB/SEM, TEM, STEM

Полость

SLS – NB –OBIC, SEI

Аномальный слой

FIB/SEM, TEM, STEM, EDX,EELS

Нарушение барьерного слоя

FIB/SEM, TEM, STEM, EDX,EELS

Дефектная поверхность контакта

FIB/SEM, TEM, STEM, EDX,EELS, AES, XPS, TOF-SIMS

Утечка

PEM, EBIC

Локальная концентрация легирующей примеси

FIB/SEM, TEM, STEM, EDX,EELS, AES, XPS, TOF-SIMS

Дефект кристалла, Напряжение

SLS – NB –OBIC, SEI

Короткое замыкание

SLS - CV-OBIC, OBIRCH, TEA

Резистивный переход

SLS - CV-OBIC, OBIRCH

Электро-миграция

SLS - CV-OBIC, OBIRCH

Словарь терминов и определений по анализу отказов

SEM

сканирующий электронный микроскоп

STEM

сканирующая просвечивающая электронная микроскопия

TEM

просвечивающая электронная микроскопия

EELS

спектроскопия потеря энергии электронами

EBIC

измерения тока, индуцированного электронным лучом

EDX

энергодисперсионный анализ

X-Ray

рентгеновский анализ

SAM

акустическая микроскопия

IR

инфракрасная спектроскопия

EBT

тестирование электронным лучом

PEM

фотоэмиссионный анализ

LSI

определение логического состояния сигналов путем пассивного накопления эмиссии

EHR

рекомбинация электронно-дырочных пар

HCL

люминесценция горячих носителей

GOL

утечка в подзатворном диэлектрике

TEA

термоэмиссионный анализ

LSM

конфокальная лазерная сканирующая микроскопия

LVP 

измерение напряжения лазерным лучом

LVI

визуализация контраста напряжения лазерным лучом

TRE

эмиссионное зондирование с разрешением по времен

RIE

реактивное ионное травление

FIB

ионно-лучевая микроскопия

AFM

атомно-силовая микроскопия

SPM

сканирующая зондовая микроскопия

STM

сканирующая туннельная микроскопия

SLS

статическая лазерная стимуляция

OBIC

измерение тока, индуцированного оптическим лучом при постоянном напряжении смещения

OBIRCH

изменение сопротивления индуцированное оптическим лучом

SEI

метод визуализации эффекта Зеебека

WDX

волновой микроанализ

TOF-SIMS

времяпролетная масс-спектроскопия вторичных ионов

D-SIMS

динамическая масс-спектроскопия вторичных ионов

XPS

рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия



ВЫВОД:

Процесс изготовления полупроводниковой пластины включает сотни шагов с использованием различных типов материалов, что требует широкого диапазона знаний о процессах проектирования и производства. Если на каком-то этапе проектирования/производства происходит сбой, то найти причину отказа - это сложная процедура, которая требует знаний о современных методах исследований. Однако, проведение такой процедуры чрезвычайно необходимо, так как анализ отказов позволяет найти причину отказа, устранить ее, предотвратить сбой в работе микросхемы, откорректировать процесс производства, что в конечном итоге снижает выпуск бракованной продукции, снижает затраты производства и обеспечивает производство надежной микроэлектроники.


Продажа 31.01.2018. Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике
Цена 31.01.2018. Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике - запрашивайте в нашем отделе продаж.
Покупая 31.01.2018. Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике у нас , Вы получаете грамотную техническую консультацию, низкие цены, четкие сроки поставки и сервисную поддержку. Подробную информацию о Анализаторы спектра и условия доставки по Москве и в регионы России, Вы можете получить у наших менеджеров по телефонам (495) 505-52-77 в будни с 9 до 18 МСК.
Заявка на 31.01.2018. Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике
*Контактное лицо:
*Организация:
*E-Mail:
*Город :
Тел/факс :
(с междугородным кодом)
* - требуемые поля
*Сообщение:
Заказать 31.01.2018. Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике Вы можете следующим образом:
1. Связаться с отделом продаж компании; по телефонам : +7(495) 505-52-77, +7 (495) 230-21-60
2. Отправить заявку по электронной почте : info@pribserv.ru - отдел продаж
3. Задать вопрос по ICQ 480648375
4. Задать вопрос по skype pribserv
5. Воспользоваться формой обратной связи
6. Приехать в офис компании "ПРИБОР-СЕРВИС" для получения подробных консультаций инженеров сервисного центра и менеджеров отдела продаж.

Осуществляем доставку 31.01.2018. Зачем нужен анализ отказов в микроэлектронике по России